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06-26 2024 

半導(dǎo)體材料電學性能研究主要測試哪些參數(shù)，有什么用？

半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代工業(yè)中不可或缺的核心元素，它們具備獨特的物理特性，能夠在一定條件下調(diào)控電子的流動，從而展現(xiàn)出介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電性能。半導(dǎo)體材料的主要測試參數(shù)有霍爾系數(shù)、載流子濃度、載流子遷移率和電阻率等?；魻栂禂?shù)是半導(dǎo)體材料在磁場中···

06-19 2024 

一鍵測量材料多種電學參數(shù)-嘉儀通霍爾效應(yīng)測試儀

霍爾效應(yīng)測試儀是一種廣泛應(yīng)用于金屬、半導(dǎo)體、電子、無機、復(fù)合等材料科學領(lǐng)域的實驗設(shè)備，可以幫助研究人員和工程師們更好地理解材料的電學性質(zhì)?；魻栃?yīng)的本質(zhì)是固體材料中的載流子在外加磁場中運動時,因為受到洛侖茲力的作用而使軌跡發(fā)生偏移,并在材料···

05-30 2024 

RTP快速退火爐在促進InGaAsP LED表面鈍化中的應(yīng)用

III-V族InP/InGaAsP/InGaAs材料家族對于光電子器件非常重要，特別是在1.55和1.3μm波段的光學發(fā)射和吸收，這對于光學互連非常重要[1]。然而，InGaAsP/InGaAs通常相對于Si[2]和InP[3]具有較高的表···

05-23 2024 

快速熱處理RTP在β-Ga2O3 MESFET器件中的應(yīng)用

β型氧化鎵（β-Ga?O?），是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，其最顯著的特征是具有超寬的禁帶寬度（約4.4~4.9 eV），還具有較高的擊穿電場強度、較低的介電常數(shù)以及出色的熱導(dǎo)率[1]，這些特性使得它在制造高性能電子器件[2]方面具有得天獨厚的優(yōu)···

05-17 2024 

快速熱處理RTP的合金化在3C-SiC-PiN中的應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料。其中，3C-SiC（立方相碳化硅）相對于其他SiC晶型（如4H-SiC和6H-SiC）具有一些優(yōu)點[1]，如與硅技術(shù)集成性好、較低的晶格失配、較高的載流子遷移率、成本相對較低，在以下領(lǐng)域有獨特的···

05-09 2024 

變溫臺在拉伸實驗中的應(yīng)用

拉伸測試，作為材料力學的重要評估手段，旨在揭示材料在拉伸應(yīng)力作用下的行為特性。測試過程中，一端固定材料，另一端施加拉力并逐漸增加，同時記錄材料的應(yīng)力與應(yīng)變變化。通過應(yīng)力-應(yīng)變曲線的分析，可獲取材料的關(guān)鍵性能參數(shù)。這些參數(shù)包括但不限于：抗拉強···

04-25 2024 

快速熱處理RTP在diamond器件中的應(yīng)用

金剛石，這種自然界中最堅硬的物質(zhì)，因其獨特的物理和電學性能，在高功率電子器件領(lǐng)域引起了廣泛的關(guān)注。其優(yōu)異的寬帶隙、高擊穿場強度、高載流子遷移率、低介電常數(shù)以及高導(dǎo)熱系數(shù)等特性[1,2]，使得金剛石在電子器件領(lǐng)域具有無可比擬的優(yōu)勢。然而，如何···

04-16 2024 

冷熱臺在低溫介電性能測試中的應(yīng)用

介電性能，作為材料在電場作用下的響應(yīng)能力的度量，是評估材料電性質(zhì)不可或缺的關(guān)鍵指標。通過對其進行全面細致的測試，我們可以精確掌握材料在電場作用下的各項性能參數(shù)，包括但不限于介電常數(shù)、介電損耗、絕緣強度以及介電擊穿電壓等。介電常數(shù)，這一物理量···

04-10 2024 

RTP快速退火爐的晶化在鐵石榴石薄膜各向異性調(diào)控中的應(yīng)用

稀土石榴石（Rare earth iron garnets ，REIGs）是一種富含稀土元素的礦物，因其獨特的物理和化學特性，在自旋電子和磁電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。其快速自旋波動力學、高疇壁速度以及低至中等的阻尼特性使其在微波器件和···

04-09 2024 

RTP快速退火爐的合金化在GaN基HEMT傳感器中的應(yīng)用

GaN基HEMT傳感器是基于AIGaN/GaN異質(zhì)結(jié)處的二維電子氣(2DEG)易受表面態(tài)控制的特性而發(fā)展起來的一種新型傳感探測器件。在GaN 基HEMT 結(jié)構(gòu)中異質(zhì)結(jié)AIGaN/GaN 界面處會形成一個2DEG的表面通道，勢阱中的2DEG受···